近日，三星電子正式宣布已開始批量生產其第五代V-NAND 3D堆疊閃存芯片，采用96層堆疊設計，與前一代產品相比容量和速度都有大幅提升。它還業內首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面。

  與前一代產品達到1.4Gbps的峰值相比，后者使存儲和RAM之間的傳輸速度提高了40%。但隨著更好的性能，電壓從1.8V降至1.2V。

  新的V-NAND還具有最快的數據寫入速度，延遲僅為500微秒，這是在寫上一代的速度提高了30%，而響應時間讀信號已顯著降低到50μS(微秒)。

  第五代V-NAND芯片的構建與之前的相似，它配備了90層的3D TLC CTF閃存存儲單元。它們堆疊成金字塔狀結構，中間有微小孔。這些孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬，包含超過850億個CTF單元，每個單元存儲多達3比特數據，單Die容量達256Gb(32GB)。

  三星將迅速擴大其第五代V-NAND生產以滿足市場的廣泛需求，將應用在如超級計算機、企業服務器和最新的移動應用等高級智能手機方面。

  三星還透露，正在開發1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND閃存顆粒。